壓敏電阻器|源林電子(在線咨詢(xún))|EPCOS壓敏電阻器：

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電容量C0

壓敏電阻在導(dǎo)通前的電阻值很大，可視為電介質(zhì)材料，兩個(gè)電極之間存在著pF級(jí)的電容在工頻下，如此之小的電容對(duì)被保護(hù)電路的正常工作幾乎沒(méi)有任何影響，但在高頻或數(shù)字線路中，如不考慮壓敏電阻的電容量，有時(shí)會(huì)造成信號(hào)失真或產(chǎn)生諧振。因此生產(chǎn)廠家應(yīng)向用戶(hù)提供壓敏電阻的電容量參考數(shù)據(jù)（一般以峰值或典型值的方式），以便用戶(hù)設(shè)計(jì)電路時(shí)參考。

源林電子是一家專(zhuān)業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營(yíng)壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器，自有研發(fā)團(tuán)隊(duì)，廠家直銷(xiāo)！

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氧化鋅壓敏電阻的缺陷：

ZnO壓敏電阻器中的缺陷有正一價(jià)和正二價(jià)的Zni和Vo，負(fù)一價(jià)和負(fù)二價(jià)的

VZn ，正一價(jià)的DZn。VZn主要在晶界處，VZn為受主態(tài)，使晶粒表面形成一電子耗盡層而產(chǎn)生勢(shì)壘，約0.7eV。Zni容易遷移為亞穩(wěn)態(tài)，是老化產(chǎn)生的根源所在。DZn可降低晶粒體的電阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高溫時(shí)原子運(yùn)動(dòng)加劇，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷卻過(guò)程中容易從空氣中吸收氧而消失。

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峰值能量Em

峰值能量Em是指壓敏電阻能夠耗散的規(guī)定波形的浪涌電流或脈沖電流的能量。峰值能量是產(chǎn)品能夠承受規(guī)定次數(shù)的

2ms方波或10/1000us脈沖電流峰值，這是用戶(hù)選擇防護(hù)操作電壓用ZnO壓敏電阻器時(shí)的重要參考值。

源林電子的壓敏電阻廣受贊譽(yù)，可靠性高、性?xún)r(jià)比高，具有很強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，想了解更多壓敏電阻資料，歡迎來(lái)電咨詢(xún)！

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